Transistoren

C(in): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 300uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Feldeffekttransistor MOS II.5. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC-DC-Spannungswandler. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 5.5A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 400V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K1393. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 150 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 675pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 3.6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V

C(in): 700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1461. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3BP. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 21F1B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SK1489. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 140 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1200pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1507. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 700pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochleistungsverstärkeranwendung. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1529. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekt-Silizium-N-Kanal-MOS-Typ. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 180V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SJ200. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V

C(in): 690pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High-Speed. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 300uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 400pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2043. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4pF. Kosten): 4pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: FM-Tuner-Anwendungen. ID (T=25°C): 20mA. IDSS (max): 12mA. IDss (min): 0.6mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 730pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2129. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Power F-MOS FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 200V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS-L. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V

C(in): 1100pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 155 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Autoelektronik. Id(imp): 108A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2314. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140us. Td(on): 30us. Technologie: Leistungs-Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Spannung Vds(max): 700V. Hinweis: 70/160ns. Menge pro Karton: 1

Kosten): 700pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2372. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. C(in): 3600pF. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 7.5A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.42 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. ID (T=25°C): 3mA. IDSS (max): 14mA. IDss (min): 6mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K246BL. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Gate/Source-Spannung Vgs: -30V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 6V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) 2SJ103

C(in): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochspannungsschaltanwendungen. Id(imp): 12A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 63 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS