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Halbleiter Transistoren

2SC815

2SC815

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2SC815. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 232. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.

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