Transistoren

Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -230V. Kollektorstrom: -15A. Max Frequenz: 30 MHz

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 25 MHz. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: PNP. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Funktion: NF-HI-FI. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5242. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5359

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Kollektorstrom: 8A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5707

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 11A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5707

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 25A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A2210. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3SG. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Relaistreiber, Lampentreiber, Motortreiber. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC6082. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-1. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.05W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.4A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.4A. Hinweis: hFE 70...140. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: 2SA562-O

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.4A. Hinweis: hFE 120...240. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: KTA562-Y

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

Kosten): 4.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.15A. Id(imp): 0.4A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V/60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 160 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Kollektorstrom: 2.5A. Hinweis: Silicon PNP Epitaxial. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar)

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 55V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W