Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: Io-sat. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3299

Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F (2-8A1H). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3421Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-8H1A. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3423. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 1.7pF. Kosten): 2.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Funktion: Video. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 3.1pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Audiospannungsverstärker, CRT-Definition, Videoausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1381-E. Pd (Verlustleistung, max): 7W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3503. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1386A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Gewicht: 6g. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): MT-100(TO3P). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3519A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1492. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3856

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 17A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3858

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def, Cre=2.2pF. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3953

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/S. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF-S. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: TV-NF-L. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4381

Kosten): 60pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Hochspannungs-PNP-Transistor für Audio- und Allzweckanwendungen.. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4382. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4466

Kosten): 36pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF, lo-sat. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AG*. Äquivalente: LG 0TRRH80034A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( MTP3 ). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4672. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Transistortyp: PNP. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4793. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 320pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1941. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1A. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5198. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 360pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1943 (O). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Transistortyp: PNP. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5200. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS