Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Funktion: Verstärker- und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+165°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 90V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6488G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.075W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6488

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 90V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6488

Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6520. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Gehäuse: TO-92. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -350V. C(in): 100pF. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6517. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-46. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6550. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 10mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

C(in): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gewicht: 0.18g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): O-92Ammo-Pack. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gewicht: 0.18g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Kleinsignal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 702. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.5 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K72. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 2.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7.6 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.37W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 22pF. Kosten): 11pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 2. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K72. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 400mW. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Motorsteuerung, Energiemanagement. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 72. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 580pF. Kosten): 86pF. Kanaltyp: N. Funktion: Plasma-Display-Treiber. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 87 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220D-A1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1200pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 230A. Ic(T=100°C): 40A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 75 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220D-A1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 540V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Kollektorstrom: 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2562

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1013. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2383. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1013-Y. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2383. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92, 2-5F1B. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC1162. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 0.15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1015 Y. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC1815Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: RM-60. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2581

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 200V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 17A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 17A. Betriebstemperaturbereich min (°C): PNP. Betriebstemperaturbereich max (°C): 200V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SA1120. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 170 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor