Transistoren

Menge pro Karton: 1. Funktion: P-FET S. ID (T=25°C): 6mA. IDSS (max): 6mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18

Kosten): 4pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Funktion: Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N5401. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 4 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschalt- und Linearverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 4.5pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: Uni sym. IDSS (max): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 53 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Uni sym. IDSS (max): 16mA. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 4mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5pF. Kosten): 2pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. IDSS (max): 5mA. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: J-FET. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 25V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: VHF/UHF, HF-Verstärker

RoHS: ja. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5551. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 50A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N5886

Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 50A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N5884. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N5886G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PUT.. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmierbarer Unijunction-Transistor

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bipolartransistor, einschichtig (PUT). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6027G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PUT.. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmierbarer Unijunction-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PUT.. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmierbarer Unijunction-Transistor

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bipolartransistor, einschichtig (PUT). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6028G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 12A. Hinweis: b>750. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-O Tr. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 12W. Gehäuse (laut Datenblatt): M135. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V. Spec info: SD1012. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 7A. Hinweis: hFE 20. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: TO-220AB

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Transistortyp: PNP. VCBO: 275V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 225V

BE-Widerstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Kosten): 400pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Gewicht: 11.8g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6287. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6287G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-66. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-66. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 130V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V