Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 130. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1123. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxie-Planertyp“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/55V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1141. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: PNP. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 50mA. Hinweis: 9mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1145 O. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2705. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: VCE(sat) 2V max. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2706

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Widerstand B: 47. BE-Widerstand: 47. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D6/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 55V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochspannungsschalten. Kollektorstrom: 0.07A. Ic(Impuls): 0.14A. Hinweis: 9mm Höhe. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--MP. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.14V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2910

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 140mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1209. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2911. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Kosten): 40pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NY. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-5K1A. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck / SMD-Code NY. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D3/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3182. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3263

Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Funktion: HI-FI-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): MT-100. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3263. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Kollektorstrom: 17A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3264. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3280

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3281

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Kollektorstrom: 14A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3284. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 1.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3298. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS