Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxialer planarer NPN-Transistor“. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 7V

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Produktionsdatum: 2014/06. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 7V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 117W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 117W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Transistortyp: NPN. VCBO: 250V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 175V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF-S. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3772. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200kHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.2 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3773G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 140V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: VHF/RF-Verstärker. ID (T=25°C): 20mA. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxial. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3820. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: -15mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Komponentenfamilie: P-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): JFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 8V

C(in): 8pF. Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxial-Planar-Die-Konstruktion“. Tf(max): 75 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Gehäuse: TO-92. Herstellerkennzeichnung: 2N3904. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 40V. Kollektorstrom: 0.2A. Leistung: 0.625W. Max Frequenz: 300MHz. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Si-Epitaxie-Planartransistor. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3906. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150...500 MHz. Funktion: S. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39 ( TO-5 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 30pF. Kosten): 6.5pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): 0.9A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 30pF. Kosten): 8.5pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo Pack. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 30pF. Kosten): 8.5pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -50V. Kollektorstrom: -50mA. Max Frequenz: 40 MHz. Gehäuse: TO-92

Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Kollektorstrom: 50mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 3V. Funktion: Vorverstärker. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 10pF. Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 900. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kollektorstrom: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Funktion: Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.2GHz. Maximaler hFE-Gewinn: 210. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 0.4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 3V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS