Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V/15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 0.03A. Betriebstemperaturbereich min (°C): PNP. Betriebstemperaturbereich max (°C): 30 v

Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): D8A/C. CE-Diode: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V/35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. CE-Diode: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF. Kollektorstrom: 0.05A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 1.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2073. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Audio/Video. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: 9mm Höhe

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-Prozess. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 0.8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2235-Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Funktion: Geräuscharmer Audioverstärker. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2240. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2275

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 8W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M10/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W

BE-Widerstand: 47. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623S. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Funktion: Mittlere Leistung, Magnet-, Relais- und Aktuatortreiber und DC/DC-Module. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS