Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BC303

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BC303. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -60V. C(in): -0.5A. Kosten): 0.85W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.65 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. VCBO: 85V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC639. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1013. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2383. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N5401. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401
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