Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303
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NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303. NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.65 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Transistortyp: PNP. VCBO: 85V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

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