Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BUT11AF-F. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 18:25.

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