Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FJL4315-O

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FJL4315-O. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HALLO-FI. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 17A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J4315O. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FJL4215-O. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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