Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V - STP11NB40FP

N-Kanal-Transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V - STP11NB40FP
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N-Kanal-Transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V - STP11NB40FP. N-Kanal-Transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 1250pF. Kosten): 210pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 42.8A. IDss (min): 1uA. Hinweis: Viso 2000VDC. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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IRFI740GLC

IRFI740GLC

N-Kanal-Transistor, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (...
IRFI740GLC
N-Kanal-Transistor, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 1100pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 380 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 23A. IDss (min): 25uA. Hinweis: Viso 2500V. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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N-Kanal-Transistor, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 1100pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 380 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 23A. IDss (min): 25uA. Hinweis: Viso 2500V. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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FQPF8N60C

FQPF8N60C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220, 600V, 7.6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220. Drain-...
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N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220, 600V, 7.6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQPF8N60C. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 45 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1255pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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