NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218-FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4.5. Ic(Impuls): 18A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST-SWITCH. Maximaler hFE-Gewinn: 18. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorstrom: 14A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Ic(Impuls): 21A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.6us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 650V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 8V

NPN-Transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Kollektorstrom: 50A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Kollektorstrom: 60A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 7pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 75...1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 4pF. Kosten): TO-204AA. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): +200°C. Hinweis: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11015. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrom: 50A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11033. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11032G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15003G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 140V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15004. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 70. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Spec info: Motorola. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 70. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15016. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15023. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 350V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15023. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15025. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 16A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15024G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 16A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ21194G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21195. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V

NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. C(in): 30pF. Kosten): 8.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ802G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J44H11. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 85 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J44H11. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 85 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DPAK CASE 369C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 45pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 85 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 44H11G. Äquivalente: MJD44H11G, MJD44H11J. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJD45H11T4G. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf (Typ): 140 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DPAK CASE 369C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 45pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 85 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 45H11G. Äquivalente: MJD45H11G, MJD45H11J. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJD45H11T4G. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf (Typ): 140 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V