NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE13007G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 12A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE13009G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE15032G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 30 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15033. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15035G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 12:1. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE18004G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 13 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6A, 450V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: SMPS. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: SWITCHMODE. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. C(in): 1750pF. Kosten): 100pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 34. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V

NPN-Transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE210. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-225. Kosten): TO-225. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE253. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE3055T. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE2955T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE2955T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-32. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE340. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Vebo: 3V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126 ( TO-225 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L, VID.. Äquivalente: KSE340. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Hinweis: Kunststoffgehäuse. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE340G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(min): 2us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

NPN-Transistor, 1.5A, 60V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1000pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE800G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE803. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C