Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V - 2SA1941-TOS

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NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V - 2SA1941-TOS. NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 320pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1941. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5198. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.

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