PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 90V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6488

NPN-Transistor, TO-92, 0.5A, TO-92, 350V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -350V. C(in): 100pF. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6517. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2562

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1013. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2383. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1013-Y. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2383. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92, 2-5F1B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC1162. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1015 Y. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC1815Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, RM-60, 120V, 12A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: RM-60. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W

NPN-Transistor, 10A, 140V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2581

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 200V, 17A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 200V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 17A. Betriebstemperaturbereich min (°C): PNP. Betriebstemperaturbereich max (°C): 200V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SA1120. Grenzfrequenz ft [MHz]: 170 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 130. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1123. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxie-Planertyp“. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 60V/55V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/55V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1141. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V

NPN-Transistor, 0.1A, 180V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.05A, 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Hinweis: 9mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1145 O. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2705. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: VCE(sat) 2V max. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2706

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 35V/30V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Widerstand B: 47. BE-Widerstand: 47. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Allzweck. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, D6/C, 30V/20V, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D6/C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-236, 55V/50V, 150mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 55V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.05A, 80V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 150V, 50mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Kollektorstrom: 0.07A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--MP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochspannungsschalten. Ic(Impuls): 0.14A. Hinweis: 9mm Höhe. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.14V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2910