PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 140mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1209. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2911

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-5K1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 40pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NY. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck / SMD-Code NY. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, D3/B, 30V/20V, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D3/B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3182. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3263

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): MT-100. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Funktion: HI-FI-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3263. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 17A, 230V. Kollektorstrom: 17A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3264. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3280

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3281

NPN-Transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrom: 14A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3284. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3298. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3299

NPN-Transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F (2-8A1H). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3421Y. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-8H1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3423. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. C(in): 1.7pF. Kosten): 2.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Funktion: Video. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): MT-100(TO3P). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1386A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Gewicht: 6g. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3519A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 60V/50V, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 5A, 35V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30V/25V, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 180V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1492. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3856

NPN-Transistor, 0.2A, TO-126F, TO-126F, 120V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def, Cre=2.2pF. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3953