PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.5A, 400V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/S. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. Transistortyp: PNP. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

NPN-Transistor, 2A, 400V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF-S. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 150V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: TV-NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4381

NPN-Transistor, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Kosten): 60pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Hochspannungs-PNP-Transistor für Audio- und Allzweckanwendungen.. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4382. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 80V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4466

NPN-Transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( MTP3 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 36pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF, lo-sat. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Ic(Impuls): 5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AG*. Äquivalente: LG 0TRRH80034A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4672. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC4793. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: TV, SL. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5171. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Kosten): 320pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1941. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5198. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Kosten): 360pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1943 (O). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5200. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, -230V, -15A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -230V. Kollektorstrom: -15A. Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Max Frequenz: 30 MHz

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 25 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Funktion: NF-HI-FI. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5242. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, 230V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5359

NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 50V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5707

NPN-Transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ), 50V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Ic(Impuls): 11A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC5707

NPN-Transistor, 20A, TO-220FP, TO-220F-3SG, 50V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3SG. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Ic(Impuls): 25A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A2210. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Relaistreiber, Lampentreiber, Motortreiber. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC6082. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-1, 20V, 10mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.05W

NPN-Transistor, 0.4A, 40V. Kollektorstrom: 0.4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-98, 35V/30V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-98. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.4A, 30 v. Kollektorstrom: 0.4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: Allzweck. Hinweis: hFE 70...140. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Spec info: 2SA562-O

NPN-Transistor, 0.4A, 30 v. Kollektorstrom: 0.4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: Allzweck. Hinweis: hFE 120...240. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Spec info: KTA562-Y

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, 60V/40V, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 4.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Id(imp): 0.4A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30V/25V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 60V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W