N-Kanal-Transistor, 7A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V - 2SK1058
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|---|---|---|
| 1 - 1 | 10.77€ | 12.92€ |
| 2 - 2 | 10.23€ | 12.28€ |
| 3 - 4 | 10.01€ | 12.01€ |
| 5 - 9 | 9.69€ | 11.63€ |
| 10 - 14 | 9.47€ | 11.36€ |
| 15 - 19 | 9.15€ | 10.98€ |
| 20+ | 8.83€ | 10.60€ |
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N-Kanal-Transistor, 7A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V - 2SK1058. N-Kanal-Transistor, 7A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 160V. C(in): 600pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 180 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Originalprodukt vom Hersteller Renesas Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 14/06/2025, 19:25.
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N-Kanal-Transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 1mA. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 180V. C(in): 700pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochleistungsverstärkeranwendung. G-S-Schutz: NINCS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1529. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SJ200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekt-Silizium-N-Kanal-MOS-Typ. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V
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