Transistoren

C(in): 9pF. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW3281. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3P. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NJW21193G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

C(in): 9pF. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Produktionsdatum: 201452 201512. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW1302. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 6400pF. Kosten): 465pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. ID (T=25°C): 82A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 82N055. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 142W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.1m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MP-25ZP. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 900. Spec info: MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 707pF. Kosten): 224pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N6LG. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.039 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N06LG. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 990pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20P06LG. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NT2955. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NT2955G. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 750pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 55W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NT2955. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: ID pulse 36A/10ms. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.084 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Funktion: ID pulse 45A/10us. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 55094G

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Pd (Verlustleistung, max): 29W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.122 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Funktion: ID pulse 27A/10us. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 3150G

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.089 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 60V. Hinweis: 55L104G. Funktion: Logikpegel, ID-Impuls 45A/10us. Menge pro Karton: 1

C(in): 316pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.089 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Logikpegel, ID-Impuls 45A/10us. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 55L104G. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 55L104G. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 4490pF. Kosten): 952pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4804NG. Pd (Verlustleistung, max): 107W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. G-S-Schutz: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Hinweis: hFE 20...70. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Hinweis: hFE 20...70. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 510pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5.1A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 446. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Lithium-Ionen-Akku-Anwendungen, Notebook-PC. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4416pF. Kosten): 296pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 472A. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 503W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3L, CASE 340CX. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Funktion: USV, DC/DC-Wandler, Boost-Wechselrichter. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 108A. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 53A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4744N. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 47W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8FL. Spannung Vds(max): 30 v. Funktion: ID pulse 108A/10ms. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4744N

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 288A. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. IDSS (max): 191A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4833N. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 114W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3M Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8FL. Spannung Vds(max): 30 v. Funktion: ID pulse 288A/10ms. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4833N

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 208A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 104A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4835N. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 63W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.9m Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8FL. Spannung Vds(max): 30 v. Funktion: ID pulse 208A/10ms. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4835N

Kosten): 135pF. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hergestellt für Grundig. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 34W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS