Transistoren

C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweckverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 0.8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92AMMO. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2907A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

C(in): 3195pF. Kosten): 221pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Standardschaltung. Id(imp): 272A. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.06uA. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 13.9m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK (SOT404). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4900pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4720pF. Kosten): 456pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 118 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 30 milliOhms. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-363. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: B*1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Dualer PNP-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-363. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: D*2. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Paar NPN- und PNP-Transistoren

C(in): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N65C3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2930pF. Kosten): 1150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 380A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N03L04. Pd (Verlustleistung, max): 188W. Einschaltwiderstand Rds On: 5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: RFD14N05L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 670pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F14N05. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 670pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 850pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. ID (T=25°C): 12A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 12A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3055L. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Logikpegelsteuerung, ESD-Schutz

Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 125us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D8P05. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 20A. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 900pF. Kosten): 325pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F12N10L. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+155°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: MegaFET. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 53W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: RFP3055LE. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 38W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: RFP50N06. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 37 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2020pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 131W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: RFP70N06. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2250pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Temperaturkompensiertes PSPICE®-Modell

Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 330V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 330V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-Diode: ja

C(in): 1200pF. Kosten): 80pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Kompatibilität: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 250A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 178W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 40A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

C(in): 85pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: N. Funktion: IGBT. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 250A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 360V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1250pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: P. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 200A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 630V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS