Transistoren

C(in): 25pF. Kosten): 10pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnittstelle und Vermittlung. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 115mA. IDSS (max): 115mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RKM. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kosten): 100pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DTR.. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/CMS-Code XJ

C(in): 780pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC-DC-Spannungswandler. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TM. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 65m Ohms. RoHS: ja. Teilung: 2.9x1.6mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSMT6. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 6. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 2.5A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.074 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N-Ch MOS FET. Gehäuse (laut Datenblatt): TSMT3. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code QY. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler

C(in): 1830pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=25°C): 9.5A. IDSS (max): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TB. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4-V-Antriebs-N-Kanal-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 45V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Leistungsschaltung, DC/DC-Wandler, Wechselrichter. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0125 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 4-V-Antriebs-N-Kanal-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-218. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: S2000N. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1.5 kV. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1500V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 50W. Eingebaute Diode: ja. Gehäuse: TO-247-T

Kosten): 9pF. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 35pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. Kollektorstrom: 15A. Hinweis: hFE 5000...20000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) SAP15P. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 35pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. Kollektorstrom: 15A. Hinweis: hFE 5000...20000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) SAP15P. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 20A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 4.4A. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Advanced Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 3.4A. IDSS (max): 3.4A. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. Technologie: V-MOS TO220F. Spannung Vds(max): 250V. Menge pro Karton: 1. Hinweis: On 13ns, Off 40ns

C(in): 1970pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT. Kollektorstrom: 48A. Ic(Impuls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60RUFD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SGH80N60UF. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 80A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 195W. Maximaler Kollektorstrom (A): 220A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 550pF. Kosten): 62pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 40A. Ic(T=100°C): 10.6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G10N60A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 92W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 178 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. C(in): 1250pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 3. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 52A. Ic(T=100°C): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G15N120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 198W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 580 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter, SMPS. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. C(in): 1600pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 3. Kollektorstrom: 41A. Ic(Impuls): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kosten): 8pF. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SGW25N120. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 46A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 990 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 313W. Maximaler Kollektorstrom (A): 84A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 389 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Kunststoffrohr. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V