Transistoren

Kollektorstrom: 4A. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: TO-126. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD438. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -45V. Kollektorstrom: -4A. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: TO-126. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD437. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -45V. Kollektorstrom: -4A. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: TO-126 FULLPACK

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-32. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD440. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD440. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 4A. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: TO-126

Herstellerkennzeichnung: BD441G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 4A. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: TO-126. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD442. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD441. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Isolierkoffer. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 20. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 1.5V

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 62.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD649. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD652. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677AG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD678. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD677A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD679. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD680A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Widerstand B: ja. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Kollektorstrom: 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)