Transistoren

Kanaltyp: N. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 79A. Leistung: 310W. Gehäuse: TO-220AB. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Spannung (Vds): 150V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2880pF. Kosten): 3990pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 62 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 945pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 46A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.46 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 23 nC), niedriger CrSS 14 pF. G-S-Schutz: ja

C(in): 480pF. Kosten): 66pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 11 nC), niedriger Crss 5 pF. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 720pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 12 nC), niedriger CrSS 9 pF. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1604pF. Kosten): 408pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 13 ns. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-Kanal. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2010pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-Kanal. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1385pF. Kosten): 275pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Batterieladeregler. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-Kanal. Spec info: HBM ESD-Schutzart von 3,8 kV. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N-P. Konditionierung: Rolle. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: N-Kanal-Transistor (Q1), P-Kanal-Transistor (Q2)

Kanaltyp: P. Funktion: Dual P-Kanal MOSFET PowerTrench 30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2. Technologie: P-Kanal. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

Kanaltyp: P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: P-Kanal. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: FDS6670A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2220pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2470pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Herstellerkennzeichnung: Erweiterter VGS-Bereich (-25 V) für batteriebetriebene Anwendungen. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 120ns. Td(on): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

C(in): 2890pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): n/a. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 1205pF. Kosten): 290pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 9.8m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Logikpegelsteuerung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): 8.2A. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: FDS6900AS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 570pF/600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: FDS6912. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 475pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 19m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)

C(in): 760pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N-P. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Dual-MOSFET-Transistor, N- und P-Kanäle, „PowerTrench“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: FDS9435A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 528pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 15 ns. ID (T=100°C): 5.4A. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.030 Ohms. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: P. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.075 Ohms