Transistoren

C(in): 530pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 365P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 365 P. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 35V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Wechselrichter, Netzteile. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SUPERSOT-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: .638. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 33 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 420. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 420

C(in): 700pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 642. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 642. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 120ns. Td(on): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Lastschalter, Batterieschutz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 630pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 250uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code FDC642P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDC642P. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SSOT. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Lastschalter, Batterieschutz. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2085pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Hochleistungs-Trenchtechnik“. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 58A. IDSS (max): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD4141. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 69W. Einschaltwiderstand Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: extrem niedriger RDS(on)-Widerstand. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. C(in): 759pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD5614P. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.076 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FDD5690. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1110pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0088 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1715pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1400pF. Kosten): 317pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 59A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD6635. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5070pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 8.2M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1715pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 575pF. Kosten): 64pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56.4 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: High performance trench technology. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 56.8W. Einschaltwiderstand Rds On: 61m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extrem niedriger RDS(on)-Widerstand. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD8447L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.085 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 880pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FDH45N50F. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 140 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 215 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6630pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 7.5A. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Dual-N-Kanal-MOSFET-Transistor, 30V, „PowerTrench MOSFET“. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): Power-56-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2. Funktion: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 306. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 61 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1138pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 451pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Batteriemanagement. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.6A. IDSS (max): 0.1uA. IDss (min): n/a. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 338. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.088 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Specified PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V

C(in): 182pF. Kosten): 56pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.5A. IDSS: 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 358. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 618. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 16.5 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 430pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 2200pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS