Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 301. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 301. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 8 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 9.5pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 303. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 63pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. ID (T=25°C): 0.46A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 304. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Betriebs-Gate-Spannung nur 2,5 V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: IGBT-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FGA40N65SMD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 650V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 120ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 174W. Maximaler Kollektorstrom (A): 60.4k Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 2915pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 47ms. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Field Stop IGBT . Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißstation, PFC, Telekommunikation, ESS. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 940pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGB20N60SF. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2-PAK. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißgerät, PFC. Hinweis: N-Kanal-MOS-IGBT-Transistor. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2110pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH40N60SFD. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 115 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1880pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (Verlustleistung, max): 349W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 92 ns. Td(on): 12 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißstation, PFC, Telekommunikation, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2110pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 112 ns. Td(on): 24 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2820pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH60N60SFD. Pd (Verlustleistung, max): 378W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2820pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH60N60SF. Pd (Verlustleistung, max): 378W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2915pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrom: 60.4k Ohms. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGH60N60SMD. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 18 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264. Gehäuse (JEDEC-Standard): Kunststoffrohr. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FGL40N120AND. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264-3L. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V...3.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7.5V. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck . Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: „High V-Farbdisplay Hor Defl (mit Dämpferdiode)“. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck J6810. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja

Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6812. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck J6812. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HALLO-FI. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 17A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J4315O. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FJL4215-O

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 20A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: 19-Zoll-Monitor. Spec info: VEBO 6V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 25

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schaltkreise. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 300mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 28. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-1. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 39. Minimaler hFE-Gewinn: 26. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-2. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS