Transistoren

C(in): 5110pF. Kosten): 1190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Automobilanwendungen. Id(imp): 700A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.9M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3850pF. Kosten): 610pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 13m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Herstellerkennzeichnung: IRF2807PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3820pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 82A. Leistung: 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: TO-220. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 75V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F2807S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3820pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 260A. Pd (Verlustleistung, max): 290W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v

C(in): 6320pF. Kosten): 1980pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 290W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 7500pF. Kosten): 970pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF2907Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 180A. IDSS (max): 180A. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Spannung Vds(max): 75V

C(in): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Fortschrittliche Prozesstechnologie“. Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF3205PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3247pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Fortschrittliche Prozesstechnologie“. Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250nA. IDss (min): 25nA. Äquivalente: IRF3205SPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F3205S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3247pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 3450pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Fortschrittliche Prozesstechnologie“. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.9m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 75A. Leistung: 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0049 Ohm. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V

C(in): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 174 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 108A. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 136W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2400pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0042 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 43A. Leistung: 130W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 150V

C(in): 3230pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 23m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF3710PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3130pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F3710S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3130pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 110A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.047 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 20V. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 17ns

C(in): 2980pF. Kosten): 1770pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenzisolierter DC-DC. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.7M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2150pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Synchroner Hochfrequenz-Abwärtswandler. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0048 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5310pF. Kosten): 890pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 93 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF3808. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0059 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS